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中科院量子信息與量子科技創(chuàng)新研究院首次實(shí)現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)

發(fā)布時(shí)間:2023-04-06 16:05:43  信息來源:  閱讀次數(shù): 8271 次

近期,,依托中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)組建的中科院量子信息與量子科技創(chuàng)新研究院郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在碳化硅色心高壓量子精密測(cè)量研究中取得重要進(jìn)展,。該團(tuán)隊(duì)李傳鋒、許金時(shí),、王俊峰等人與中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體所高壓團(tuán)隊(duì)劉曉迪研究員等合作,,在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)了基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測(cè),,該技術(shù)在高壓量子精密測(cè)量領(lǐng)域具有重要意義。3月23日研究成果以“Magnetic detection under high pressures using designed silicon vacancy centres in silicon carbide” 為題在線發(fā)表在《自然·材料》雜志上 [Nature Materials (2023)],。



? Nature


高壓技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于物理學(xué),、材料科學(xué)、地球物理和化學(xué)等領(lǐng)域,。特別是壓力下高臨界溫度超導(dǎo)體的實(shí)現(xiàn),,引起了學(xué)術(shù)界的極大關(guān)注。然而一直以來,,原位高分辨率的磁測(cè)量是高壓科學(xué)研究的難題,,并制約著高壓超導(dǎo)抗磁行為和磁性相變行為的研究。傳統(tǒng)的高壓磁測(cè)量手段,,如超導(dǎo)量子干涉儀難以實(shí)現(xiàn)金剛石對(duì)頂砧中微米級(jí)樣品的弱磁信號(hào)的高分辨率原位探測(cè),。為了解決這一關(guān)鍵核心難題,金剛石NV色心的光探測(cè)磁共振技術(shù)已被用于原位壓力誘導(dǎo)磁性相變檢測(cè),。然而,,由于NV色心具有四個(gè)軸向,并且其電子自旋的零場(chǎng)分裂是溫度依賴的,,不利于分析和解釋測(cè)量得到的光探測(cè)磁共振譜,。

針對(duì)高壓磁探測(cè)的難題,研究組加工了碳化硅對(duì)頂砧(又稱為莫桑石對(duì)頂砧),,然后在碳化硅臺(tái)面上利用離子注入產(chǎn)生淺層硅空位色心,,并利用淺層色心實(shí)現(xiàn)高壓下的原位磁性探測(cè)。碳化硅中的硅空位色心只有單個(gè)軸向,,而且由于電子結(jié)構(gòu)的特殊對(duì)稱性,,該色心電子自旋的零場(chǎng)分裂是溫度不敏感的,能夠很好地避免金剛石NV色心在高壓傳感應(yīng)用中遇到的問題,。研究組首先刻畫了硅空位色心在高壓下的光學(xué)和自旋性質(zhì),,發(fā)現(xiàn)其光譜會(huì)藍(lán)移,而且其自旋零場(chǎng)分裂值隨壓力變化很?。?.31 MHz/GPa),,遠(yuǎn)小于金剛石NV色心的變化斜率14.6 MHz/GPa。這將有利于測(cè)量和分析高壓下的光探測(cè)磁共振譜,。在此基礎(chǔ)上,,研究組基于硅空位色心光探測(cè)磁共振技術(shù)觀測(cè)到了釹鐵硼磁體在7 GPa左右的壓致磁相變,,并測(cè)量得到釔鋇銅氧超導(dǎo)體的臨界溫度-壓力相圖。實(shí)驗(yàn)裝置和實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖所示,。該實(shí)驗(yàn)發(fā)展了基于固態(tài)色心自旋的高壓原位磁探測(cè)技術(shù),。碳化硅材料加工工藝成熟,可大尺寸制備并且相對(duì)金剛石有很大的價(jià)格優(yōu)勢(shì),,該工作為磁性材料特別是室溫超導(dǎo)體高壓性質(zhì)的刻畫提供了一個(gè)優(yōu)異的量子研究平臺(tái),。



實(shí)驗(yàn)結(jié)果和示意圖

(a)碳化硅對(duì)頂砧和淺層硅空位色心探測(cè)磁性樣品示意圖

(b )硅空位色心零場(chǎng)劈裂隨壓力的變化關(guān)系

(c)釹鐵硼材料的磁性相變探測(cè)

(d)釔鋇銅氧超導(dǎo)材料的Tc-P相圖

(e)基于碳化硅中硅色心實(shí)現(xiàn)高壓原位磁探測(cè)的示意圖


該工作得到審稿人的高度評(píng)價(jià): “總的來說,我發(fā)現(xiàn)這項(xiàng)工作非常有趣,,通過展示碳化硅中室溫自旋缺陷作為原位高壓傳感器的使用,,我認(rèn)為這項(xiàng)工作可以為使用碳化硅對(duì)頂砧的量子材料的新研究打開大門("Overall, I found the work quite interesting – by demonstrating the use of room-temperature spin-defects in SiC as in-situ high pressure sensors, I think the work could open the door to new studies of quantum materials using Moissanite anvil cells. ")。

中科院量子信息重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室王俊峰特任副研究員(現(xiàn)四川大學(xué)研究員),、合肥研究院博士生劉琳及劉曉迪研究員為論文共同第一作者,。該工作得到了科技部、國(guó)家基金委,、中國(guó)科學(xué)院,、安徽省,、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)和四川大學(xué)的資助,。

論文鏈接:

https://www.nature.com/articles/s41563-023-01477-5 


背景簡(jiǎn)介:本文摘自公眾號(hào)“量子科話”。

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